介電強(qiáng)度測(cè)試的影響因素
點(diǎn)擊次數(shù)：2009 更新時(shí)間：2013-10-18
電壓波形及電壓作用時(shí)間影響。材料在電場(chǎng)作用下，初始時(shí)單位時(shí)間內(nèi)材料內(nèi)部產(chǎn)生的熱量大于介質(zhì)散發(fā)出去的熱量，進(jìn)而介質(zhì)溫度升高，溫度的升高是一個(gè)由快轉(zhuǎn)滿的，若升壓速度較慢zui后發(fā)生材料擊穿熱擊穿的成分較大。作用時(shí)間的影響多因熱量積累而使擊穿電壓值隨電壓作用增加而下降，處于熱擊穿形式的試樣，基本上隨升壓速度的提高擊穿強(qiáng)度也增大。因此，一般規(guī)定試樣擊穿電壓低于20kv時(shí)升壓速度為1.0kv/s；大于或等于20kv時(shí)升壓速度為2.0kv/s。
電極倒角的影響：電極邊緣處電場(chǎng)強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于內(nèi)部，但邊緣效應(yīng)極難消除。為避免電極邊緣成一直角，需采用一定倒角r。國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定r=2.50mm。
標(biāo)簽：介電強(qiáng)度測(cè)試，擊穿測(cè)試，電壓擊穿
